筆記本內(nèi)存分為幾種,筆記本內(nèi)存條分為幾種

計算機中內(nèi)存包括哪3類？

計算機當前主要有三種內(nèi)存，它們分別是：SDRAM（SynchronousDynamicRAM），DDR-SDRAM(DoubleDataRateSDRAM)以及RDRAM（RAMBUSDynamicRAM）。這篇文章將詳細討論這三種內(nèi)存，注意當前市場的主流內(nèi)存DDR-SDRAM已經(jīng)又劃分出若干版本（如DDR-II或GDDR3），這里只是統(tǒng)一介紹DDR-SDRAM的特點。\x0d\x0a\x0d\x0aSDRAM（同步動態(tài)隨機存取存儲器）\x0d\x0a\x0d\x0aSDRAM是早期內(nèi)存EDO（ExtendedDataOutput）DRAM內(nèi)存的改進版本。EDO常見于486或老奔系統(tǒng)上面，其主要缺點在于內(nèi)存頻率和系統(tǒng)頻率不一致（不同步），這樣將隨機出現(xiàn)延遲和等待狀態(tài)（處理器等待內(nèi)存?zhèn)鬏斂捎玫臄?shù)據(jù)），因此對系統(tǒng)的整體性能影響巨大。SDRAM初始頻率為66MHz，這和當時的系統(tǒng)頻率相一致。同步的好處顯而易見，能夠消除不必要的等待時間，盡量保證系統(tǒng)穩(wěn)定高速的運行。除此之外SDRAM還能夠在一個時鐘周期之內(nèi)完成數(shù)據(jù)存儲請求和取回操作，并且能夠在下一個時鐘周期內(nèi)準備好數(shù)據(jù)的傳輸和接收工作。\x0d\x0a\x0d\x0aDDR-SDRAM（DoubleDataSDRAM）\x0d\x0a\x0d\x0a在SDRAM規(guī)格之后，DDR-SDRAM的出現(xiàn)又是一次技術(shù)的進步。隨著處理器時鐘頻率和前端總線頻率的飛速提升，處理器在一段時間內(nèi)能夠處理的數(shù)據(jù)總量變得越來越巨大。例如當前的INTEL和AMD的主力產(chǎn)品Pentium4和AthlonXP的運算速度已經(jīng)達到了每秒數(shù)十億次的驚人程度。僅僅從芯片的時鐘頻率看，處理器的性能已經(jīng)非常了不起了，但由于有限的內(nèi)存帶寬，系統(tǒng)整體性能仍然受到了局限，因此傳統(tǒng)的SDRAM內(nèi)存已經(jīng)不能夠滿足新處理器對數(shù)據(jù)的需求。\x0d\x0a\x0d\x0aDDR-SDRAM在原有的SDRAM基礎(chǔ)上使每一個時鐘周期輸出的數(shù)據(jù)變?yōu)閮杀叮喈斢谶_到了同頻率的SDRAM的最大理論帶寬的兩倍，從而極大地提升了原本緊缺的內(nèi)存帶寬。DDR-SDRAM輸送和接受的數(shù)據(jù)都明顯要多于SDRAM。這對于當前的AthlonXP和Pentium4來說是最合適的搭配了，為了適應(yīng)不同總線頻率的處理器，DDR-SDRAM也衍生出多種不同速率的內(nèi)存模塊。\x0d\x0a\x0d\x0aDDR-SDRAM采用184針DIMM模塊，目前主要有以下幾種速率：PC1600（200MHz），PC2100（266MHz），PC2700（333MHz），PC3200（400MHz），PC3500（433MHz），PC3700（466MHz），PC400（500MHz），PC4200（533MHz）和PC4400（566MHz）。名稱中的第一個數(shù)字，如“PC2100”意為此內(nèi)存模塊的最大帶寬，也就是每秒最大能夠提供多少MB的數(shù)據(jù)。后面的MHz是此內(nèi)存運行時的時鐘速率。單根DDR-SDRAM的容量從64MB到2GB不等。\x0d\x0a\x0d\x0aRDRAM（RAMBUSDynamicRAM）\x0d\x0a\x0d\x0aRDRAM在現(xiàn)在的桌面PC市場上面已經(jīng)基本絕跡。和DDR-SDRAM不同，RDRAM是一種專利內(nèi)存標準，由RAMBUS開發(fā)研制成功。在1998年RDRAM第一次通過INTEL的鼎力協(xié)助進入桌面電腦市場，和高端的PentiumIII以及早期的Pentium4捆綁銷售。不過遺憾的是，RAMBUS很快便因為內(nèi)存技術(shù)專利費用的問題卷入了與英飛凌和現(xiàn)代等眾多內(nèi)存生產(chǎn)商的一系列官司糾紛中。\x0d\x0a\x0d\x0a由于RAMBUS對RDRAM技術(shù)收取專利費用，導(dǎo)致RDRAM價格昂貴，從而抑制了Pentium4市場的銷售，引發(fā)了INTEL的不滿。再加上一系列的官司讓眾多內(nèi)存生產(chǎn)商聯(lián)合起來抵制RDRAM，轉(zhuǎn)而生產(chǎn)DDR-SDRAM，讓RDRAM失去了占領(lǐng)家庭用戶和PC發(fā)燒友市場最好的機會。

筆記本電腦內(nèi)存有幾種

籠統(tǒng)的說有兩種，一種是低壓條，一種是標壓條。低壓的是型號上面帶L，標壓的不帶

再有就是分幾代。有一代，二代，三代，四代。最新的就是四代的內(nèi)存條。

分別為DDR1/DDR2/DDR3/DDR4。低壓條就是DDR4L/DDR3L這樣開頭的。

再然后就是頻率不一樣。

電腦內(nèi)存的種類

內(nèi)存從標準上可以分為：SIMM、DIMM

內(nèi)存從外觀上可以分為：30線、64線、72線、100線、144線、168線、200線和卡式、插座式。

內(nèi)存從芯片類別上可以分為：FPM、EDO、SDRAM、RAMBUS、DDR

內(nèi)存從整體性能上可以分為：普通（無任何特殊功能）、帶校驗（自動檢錯）、帶糾錯（自動糾錯）三種。

我們應(yīng)該以第一種分類方式來理解內(nèi)存比較科學(xué)一些：

1．30線：類型：FPM

容量：256k、1M、4M、16M

功能：普通、檢錯

主要適用范圍：286、386、486計算機

2．72線：類型：FPM、EDO

容量：1M、2M、4M、8M、16M、32M、64M、128M

功能：普通、檢錯、糾錯

主要適用范圍：486、586計算機

3．64線：過渡性產(chǎn)品，僅在AST486SX機器上出現(xiàn)過。

4．80線：類型：flashmemory

容量：2M、4M、8M、16M.

功能：普通

主要適用范圍：路由器

5．100線：類型：EDO、SDRAM

容量：4M、8M、16M、32M

功能：普通

主要適用范圍：激光打印機、路由器

6.168線：類型：FPM、EDO、SDRAM

容量：8M、16M、32M、64M、128M、256M、512M.

功能：普通、糾錯、Registered

主要適用范圍：568以上機型

7.200線：類型：EDO、SDRAM

容量：32M、64M、128M、256M

功能：檢錯、糾錯

主要適用范圍：SUN工作站

8.卡式.插座式：類型：EDO、FLASH

容量：1M、2M、4M、8M、16M、32M、40M、80M…

功能：普通、糾錯

筆記本電腦內(nèi)存和內(nèi)存類型

筆記本的內(nèi)存大體可以分為EDO、SDRAM、DDR三種。幾大知名內(nèi)存廠家及代號：現(xiàn)代電子(Hynix)：HY，三星(SAMSUNG)：KM或M，NBM：AAA，西門子(SIEMENS)：HYB，高士達LG-SEMICON：GM，三菱(MITSUBISHI)：M5M，富士通(FUJITSU)：MB，摩托羅拉(MOTOROLA)：MCM，MATSUHITA：MN，OKI：MSM，美凱龍(MICRON)：MT，德州儀器(TMS)：TI，東芝(TOSHIBA)：TD或TC，日立(HITACHI)：HM，STI：TM，日電(NEC)：UPD，IBM：BM，NPNX：NN。

EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。

SDRAM內(nèi)存：筆記本經(jīng)歷了Pentium時代，CPU的速度已經(jīng)越來越快，這時Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)----SDRAM。SDRAM的全稱是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步動態(tài)隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

DDR內(nèi)存：顧名思義：DoubleDataRate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚的機器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復(fù)雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大